了leARM Cortex-A9架构gòu ， 比如Tegra 2、德州仪器qìOMAP44x0系xì列、三星猎户座E4210和hé苹果A5等 ， 包括kuò较近jìn推出的de首shǒu款四sì核处chù理lǐ器qìTegra 3 。
而ér更为wèi先xiān进的deARM Cortex-A15架构gòu将是下一yī代ARM发展的de趋势shì 。
2. 工艺制程
制程工艺的de纳米是指IC内电路与电路之间的de距离 。更小的de制程也就意味着更低的de功耗hào和hé散热 ， 同时在zài同样面积的de芯片上更小的de制程也就能néng集成更多的de晶 体 ， 而ér晶圆的de数量又是决定dìng处chù理lǐ器qì性能néng的de关键因yīn素 ， 所suǒ以yǐ ， 工艺制程越先xiān进 ， 处chù理lǐ器qì性能néng越强 。手shǒu机jī处chù理lǐ器qì从较早的de90纳米 ， 到后来的de65纳米、45纳米、32 纳米一yī直发展到目前较新的de28纳米 ， 而ér16纳米制程工艺将是下一yī代CPU的de发展目标 。
3. 总线带宽
总线带宽是指在

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