nand格式怎么写( 三 ) _格式

由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8的NAND flash ，地址范围是0~0x3FF_FFFF ，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 为例：第1 步是传递column address ，就是NAND_ADDR[7:0] ，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing 。
如果NAND Flash 的容量是32MB(256Mbit)以下，那么， block adress最高位只到bit24 ，因此寻址只需要3步。下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。
由于一个page 的main area 的容量为256word ，仍相当于512byte 。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以， bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。
除了，这一点之外， x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。三、NAND flash驱动解读以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。
我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。
在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。
在vivi中，有关。
3.nandflash什么刷写step1：由于按键组合为更新模式，首先挂载SD卡
step2：在卡里搜索文件u-boot-aml-ucl.bin是否存在，如果存在，进入step3 ，否则进入step6
step3：擦写（scrub）整个flash(nand_erase_nand（)函数），包括OOB区，也就是有可能把本来保存在flash里的厂商提供的坏块标志刷掉。擦写的过程中，如果发现擦写失败（失败检测标志推断为判>；断erase fail的管脚，这里需确认），那么就运行aml_nand_block_markbad（) ，把坏快标志写到数据结构体aml_chip->block_status里。这个结构体为内核申请的一块非易失性空间（可能为sram ，也可>；能是flash里的第一个扇区，要确认）。
【nand格式怎么写】step4：把u-boot-aml-ucl.bin刷写到flash里，并且把启动配置（env）也写到flash里
step5：软复位系统，重启
step6：跑flash里的uboot程序
step7：在卡里寻找uImage_recovery ，进入kernel恢复模式
step8: kernel恢复模式会根据卡里的更新脚本（factory_update_param.aml ）或根据手动操作重新刷写系统等操作
由上可知，该系统方案的nand flash的坏块管理是用非易失性内存数据结构保留坏块信息的方式。当更新系统时，如果需要更新uboot程序，则会进行flash的全面擦写及坏块表的全面更新，如果不需要更新