GaAs中起施主作用的是
GaAs中起施主作用的是Si，Si取代GaAs中的As原子则起受主作用 。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加 ， 当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和 。硅先取代Ga原子起施主作用 ， 随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用 。
《半导体物理学（第7版）》较全面地论述了半导体物理的基础知识 。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体 。
文章插图
2.半导体光器件的基本原理是什么半导体激光器工作原理：
半导体激光器工作原理是激励方式 ， 利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光 。
半导体激光器特点：半导体激光器激光器优点是体积小，重量轻 ， 运转可靠，耗电少，效率高等特点 。
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件 。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用 。
半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式 。电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射 。
光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励 。高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励 。
【GaAs中起施主作用的是，2.半导体光器件的基本原理是什么】在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器 。