nand闪存 _生活经验

什么叫NAND闪存？什么叫NOR闪存？这两者有什么区别？

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NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。区别1、闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较?。?一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。2、应用不同NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。3、速度不同N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。参考资料来源：百度百科—NAND闪存百度百科—NOR Flash
内置NAND闪存是什么意思150M是机身带的存储空间。系统运行，要看运行内存(RAM) 。95开机后，可用运存也就20多M，85大概70M左右。

塞班系统这个运存的大小对于运行速度影响不大，主要影响在于能同时开的软件数量。20M的话一般软件能开五六个，大的像NG游戏开一个就满了。70M就很富裕，能开很多东西。

NAND不是十分了解，他应该是在耗能和读取速度等更优。

什么是NAND芯片？同学，你是学微电子的么？要了解NAND芯片就要了解NAND和NOR储存芯片内部的结构单元，了解浮栅原理，才能对它有深入的了解。楼上提的都是这两种芯片的特点，可能还没达到你的要求，我来补充下吧。如图所示， Nand比Nor晚开发出来，在基本单元结构上，Nand 是用的晶闸管(含浮栅）源极漏极首尾串联的形式，比如32个晶闸管串联称为一个块Block，擦除和编程必须以这个最小单元操作。优点你可以从图上看出来，储存密度大大提升（虽然晶闸管数量并没少,布线空间节省了) 。缺点也很明显，一个晶闸管坏了，一个块全坏，所以用Nand的话软件上要做很多纠错，比如ECC.由于每个晶闸管没有单独的Bit line,所以读速度大受影响，随机读速度只能达到25us(微秒级).但擦除比较快。而Nor呢，每个晶闸管(含浮栅）都连接Bit Line和Word Line,所以可以做到随机访问，随机读速度可以达到60~70ns(纳秒级).但Nor的缺点是擦除很慢，原因就是它不能一个块一个块擦。基本结构上就是这个差别，也就是最基本的差别。衍生出来当然又更多不同，比如Nand接口没有地址线，Nor接口含完整地址线，兼容SRAM操作。Nand通常用来储存资料而不是放程序文件，因为程序文件大量用到随机存?。飧鍪荖and不擅长的。我这里有一份Nand的资料，是toshiba的资料，你如果需要更详细的，在里面能找到答案，留下邮箱我可以发给你~~
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的区别我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM ，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。

Emmc闪存和ufs到底有多大差距目前看UFS闪存速度幅领先eMMC者像代产物

UFSeMMC底呢两者间速度差距理论测试究竟
UFS与eMMC间关系
外观与功能面UFS与eMMC没明显差异既种接口（跟PCSATA/M.2接口概念）种单纯储存芯片（跟NAND闪存概念）说UFS/eMMC种内嵌式存储器标准规格（基于闪存介质基础集主控芯片且拥标准接口）

eMMC全称embedded Multi Media Card文翻译嵌入式媒体存储卡采用并行数据传输技术主控存储单元间拥8数据通道同步工作工作模式半双工每通道允许读写传输同间能读/写

UFS全称Universal Flash Storage文翻译通用闪存存储采用串行数据传输技术两数据通道速率超越eMMC工作模式全双工模式同条通道允许读写传输且读写能够同进行传输效率效率提高论数据传输技术工作模式UFS都全面领先于eMMC

手机eMMC闪存读写性能孱弱拍马赶SSDUFS现情况变UFS打通任督二脉：①LVDS（低压差信号）专门串行接口读写操作同进行；②CQ（命令）队列态调配任务需等待进程结束）

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ufs和emmc硬件上的区别关注微信公众号白问，每天一个有趣有料的科技小视频！
NAND闪存中NAND的英文全名是什么？还有NOR的全名NAND其实不是缩写是Not AND 说白了就是与非
NOR 就是或非

是这样的NAND 里面的单元是按照所谓与非的方式连起来的 NOR同理

NAND线少所以便宜但是性能不如NOR
所以大容量的完全是NAND的天下

你放心我解释的绝对没错我就是学这个的

为什么闪存被叫做NAND闪存NAND闪存只是闪存的一种，NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据

nand闪存和ufs闪存的区别前者LPDDR4为RAM（运存）参数，对应电脑中的内存，基本上要在2000左右价位的手机上配备（2000以下价值的主要是ZUK Z2、小米5之类的手机上用了，大多是在2000以上价位）。
后者UFS2.1为ROM（闪存）参数，对应电脑中的硬盘，全球首发的是华为mate9（海思麒麟960处理器）。至于UFS2.0的手机倒有一批，主要是高通骁龙，特别是82X（820、821）系列的手机上出现了。

NAND flash和NOR flash的区别FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory ，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存” 。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

NAND的与NOR闪存比较NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2) 。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。编程速度快、擦除时间短NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms 。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多以2Gb NAND器件为例，它由2048个区块组成，每个区块有64个页2GB NAND闪存包含2,048个区块
NAND, NOR, DRAM,SDRAM内存芯片的区别？NAND是与非门闪存 NOR是或非门闪存,不是内存哦
他们都有掉电不丢失数据,大容量,低成本的优点~
DRAM是动态随机存取内存,内存中的数据会在断电后消失
优点是具有高密度,且成本低。不过它已经是一种比较古老的内存了~现在很少见
SDRAM是同步动态随机存取内存,属于基于DRAM技术发展出来的内存,拥有DRAM所有的特点.可也属于比较老的内存技术了,现在还在用这种内存的机器比较少.
现在比较先进且广泛使用的内存主要是DDR,DDR2,甚至DDR3.
还有使用不怎么广泛,但自称技术最先进的RAMBUS内存

NAND flash和NOR flash的区别详解[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH” ， FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存” 。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极?。煌?的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉，两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了'0'，没有注入电荷表示'1'，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于导通状态。而对于浮栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施加偏置电压时，晶体管是截止的。如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于导通状态，读取的数据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1 。由于控制栅极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加电压，不足以改变浮置栅极中原有的电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下有 8 个存储单元；那么每页存储的数据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意安排的，那么块就类似硬盘的簇；容量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7个都加上偏置电压而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平，读出的数就是 0，反之就是 1 。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存?。痪哂凶ㄓ玫?地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0 。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms 。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更?。?相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见， NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NOR和NAND Flash存储器的区别应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。

2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。

4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。比如一块NOR芯片通常写一个字需要10微秒，那么在32位总线上写512字节需要1280毫秒；而NAND闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50纳秒+10微秒的寻页时间+200微秒的片擦写时间＝234微秒。

5）NAND闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。为了方便管理，NAND的存储空间使用了块和页两级存储体系，也就是说闪存的存储空间是二维的，比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区，然后再发出“写指令”进行写操作。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时，NAND的速度要快于NOR闪存。

6）NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存，这主要是因为NOR型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，NAND型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。

7）NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。

NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写” 。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作了所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作。通常NAND的可擦写次数高于NOR芯片，但是由于NAND通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长。

另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系。
从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND型闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。NOR与NAND各有所长，但两种优势无法在一个芯片上得到体现。所以，设计人员在选用芯片时，只能趋其利而避其害，依照使用目的和主要功能在两者之间进行适当的选择。

怎么区分Nor flash 与Nand flash芯片具体的方法：
看DATASHEET
NOR Flash上数据线和地址线是分开的
NAND Flash上数据线和地址线是共用的

NOR FLASH/NAND FLASH 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着， 1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR/NAND FLASH 性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0 。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms 。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l NOR的读速度比NAND稍快一些。
2 NAND的写入速度比NOR快很多。
3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

nandflash和norflash的区别

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【nand闪存】nand flash和nor flash的区别如下：1、开发的公司不同：NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place）。Nand flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。2、存储单元关系的不同：两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。3、擦除操作的不同：NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0 。由于擦除NOR FLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms 。参考资料来源：百度百科-Nand flash参考资料来源：百度百科-NOR Flash
请问nand flash和nor flash有什么不同？

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1、写入/擦除操作的时间不同【nand flash】：擦除NAND器件以8～32KB的块进行，执行同一写入/擦除的操作时间为4ms【nor flash】：擦除NOR器件是以64～128KB的块进行，执行同一个写入/擦除操作的时间为5s2、接口不同【nand flash】：nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据，并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。【nor flash】：nor flash为SRAM接口，拥有足够的地址引脚用于寻址。3、容量成本不同【nand flash】：NAND flash的单元尺寸大约为NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，因此价格较低。【nor flash】：NOR flash单元尺寸较大，生产过程也较为复杂，因此价格较高。4、耐用性不同【nand flash】：NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。【nor flash】：NOR闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。参考资料：百度百科-Nand flash
SPI flash,NADA flash,NOR flash如何区分?SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写，NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较?。⑶襈orFlash比较贵，写的速度比较慢，但读的速度比较快，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快。知识延展：SPI串行外围设备接口是一种常见的时钟同步串行通信接口，外置flash按接口分有总线flash，SPI flash，总线flash需要你的MCU上有外部总线接口。NADA flash又名闪存，是一种长寿命的非易失性存储器，它在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存比EEPROM的更新速度快。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术， Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
nor flash和nand flash的区别1. 区别
NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行
（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1 。
（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S 。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms
（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
●NOR的读速度比NAND稍快一些。
●NAND的写入速度比NOR快很多。
●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
●大多数写入操作需要先进行擦除操作。
●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
（4）接口差别
NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
（5）容量差别：
NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。
（6）可靠性和耐用性
－寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
－位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
－坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
（7）易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
（8）软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行

2. 趋势
NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。
2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41% 。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35% 。
Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card ， USB Sticks等。
NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。
目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。

3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

nor flash 和nand flash 的区别nand = not and
是一种万能逻辑表达级可以用nor 或 nand 一种来表示and,or,not,xor 。
估计真正存储的时候是用到一些逻辑转换的

什么叫释放内存？？？释放内存是简单能够清理内存的软件，能够结束任务，恢复内存使用等方式来提升内存空间。释放内存的特点：1、终止正在运行的应用程序。2、终止服务(部件) 。3、释放内存会自动重新恢复系统。4、减少系统任务释放内存。5、HOME键进行备份内存和结束使用较少启动应用程序。释放内存的方法：sd卡一般存放着音乐影片文档之类较大的文件。如果文件很重要最好的选择是换一个更大容量的sd卡。因为价格方面存储量大的卡价格并不会贵上一些。而一般的手机至少能支持16g甚至32g的扩展存储。所以一般说来外设存储不存在内存不足的问题。当然如果内存依然不足，那么可以清理掉一些不必要的文件。影视文件一般是最占容量的文件，一部电影自然也不可能反复播放。所以清理掉一些不需要的文件即可。sd卡内存一般影响到的是摄影照相时内存存储空间不足导致想要的好照片存储不了。所以最好是给sd卡腾出至少25%空间。将手机root获得删除一些系统附带累赘的应用的权限。由于root方式不仅相同，推荐的方法是在对应的手机论坛去找root方法。一般在对应的论坛里面还会有比较好的关于如何删除无用的系统软件的建议。有了建议就可以相对比较放心删除。很多手机都有将app安装到内存卡的功能，所以除了必须安装在手机内存的软件之外，可以把软件都安装到sd卡中节省手机内存。在手机设置软件管理里面除了卸载功能之外还有将软件搬家的功能，当然很多手机卫士也有类似功能。但是如果不熟悉最好使用安全卫士类软件来搬家，因为一些软件安装到sd卡影响其使用。安全卫士的垃圾清理和缓存清理功能，定期的垃圾清理和缓存清理可以节省出不少的存储空间。这些空间对于机身内存偏小的手机来说还是很宝贵的。
NAND与ROM有什么区别

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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。NAND工作原理与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。ROM定义智能手机配置中的ROM指的是 EEProm (电擦除可写只读存储器)，类似于计算机的硬盘，一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。智能手机的ROM指的是其存储空间，一般是由UFS等闪存制作，其硬件不是只读的，所谓只读是指软件层面对系统分区的读写权限设置。常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用fastboot程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），固 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。因为 ROM image 是定制系统最常见的发布形式，所以通常玩家会使用 ROM 这个词指代手机的操作系统。
手机内存NAND+DDR什么意思，与rom+ram有什么区别？哪一种表述比较流行与准确，谢谢！一个意思，存储+内存DDR要比传统的SDROM好得多

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案。

如何刷机到NAND闪存简单的说就是psp的系统所在的位置，具体的看下面PSP-NANDPSP主基板上有一颗三星的K5E5658HCM-D060的芯片,这是一颗整合芯片,包括PSP的内存(32MB 333MHz DDR SDRAM)和闪存(32MB NAND FlashROM).-内存内存是分成两部分的.8MB的系统内存和24MB的用户内存.由于MIPS R4000处理器的启动地址是0xBFC00000,所以在PSPSDK的kdumper那个例子里,这句:dump_memregion("ms0:/boot.bin", (void*) 0xBFC00000, 0x100000);dump的是PA/PB的主/副Boot区(各512KB).0x88000000到0x883FFFFF这4MB空间是用来在启动时加载系统核心和modules的.-闪存闪存也分成两个部分.1MB的引导区和31MB的数据区.数据区又包括24MB的Flash0(系统文件,固件)和4MB的Flash1(配置文件).lflash: 块设备,用来访问整个闪存,块大小为512字节,读/写lflash0:0,0(可写)flash0: FAT设备,只读lflash0:0,1(可写)flash1: FAT设备,只读lflash0:0,2lflash0:0,3fatfmtflashfat2flashfat3: 不详网上很多备份软件，搜索一下就能找到

刷机变砖请问怎么把SD卡里的NAND提取出来如是外置SD卡中的数据，建议取出手机卡使用读卡器查看及导出外置SD卡中的数据。
如是内置存储器中的数据需要导出，是需要工程师对实物进行具体检测后，判断能否保留或导出个人数据，建议将手机送至就近的三星服务中心进行检测，服务中心会根据检测结果确定手机的具体问题、配件，手机中的数据需要工程师根据手机实际情况判断能否导出。

如何刷机到NAND闪存你可以直接在手机上下载软件进行root的，现在支持手机版软件刷机了，root用户是系统中唯一的超级管理员。可问题在于root比windows的系统管理员的能力更大，足以把整个系统的大部分文件删掉，导致系统完全毁坏，不能再次使用。所以，用root进行不当的操作是相当危险的，轻微的可以死机，严重的甚至不能开机，最好选用专业的kingroot软件就没有太大问题了，希望你能够刷机成功

如何刷机到NAND闪存第一步，下载你手机能用的ROM，并且复制到你手机的内存中的根目录下
第二步，确定手机已经刷入recovery【卡刷模式】
第三步，手机进入recovery，进入recovery之后按音量上下键进行选择，先把光标移动到wipe data/factory resrt 上，然后按一下开机键进去，接着再把光标移动到 Yes -- delete all user data，然后按一下开机键确认，这一步是为了清空所有的数据
第四步，接着在recovery主界面再把光标移动到install zip from sdcard ，按一下开机键进去，再选择choose zip from
总结：记得手机进行备份，腾讯手机管家，百度云即可

请问国内外生产Nand Flash Memory 的公司有哪些，是生产商，不是代理商哦。国内。中芯国际。韩国。三星。现代美国。英特尔。镁光日本。东芝。瑞萨。欧洲。意法半导体，剩下就是一些没什么名气和市占率的。台湾没有能生产闪存芯片的公司。台湾只是芯片封装厂和半导体代工厂比较多。

内存与FLASH的区别

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内存与FLASH可以说没有区别。因为FLASH 也是内存（Memory）的一种。内存有RAM（Random Access Memory）、ROM（Read Only Memory）、Flash Memory 。1、数据RAM：电源关闭数据不保留。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。Flash：电源关闭数据保留。结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）。2、性能RAM的读取数据速度远远快于Flash 。FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash" 。闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。扩展资料：FLASH的特点有以下四点：1、可靠性采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。2、耐用性在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。3、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。4、其他作用驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。参考资料来源：百度百科 - Flash百度百科-内存
Serial flash 和 nor flash nand flash 有什么区别性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下， Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说，其写入的方式是按照逻辑与来进行的，譬如原来地址上的数据是0x01,写入0x98,地址存在的数据就是0x01&0x98 = 0x00), Nor Flash在64KB块进行写/擦除操作时，大概需要700ms的时间，而Nand Flash对32KB块进行操作，仅仅需要4ms 。容量差别:Nand Flash容量要比Nor Flash大得多， Nand:8M-4GB.Nor:1-32MB,因此对于嵌入式设备， Nand可以作为U盘或SD存储介质， Nor可以用来存储程序，如果不太考虑速度，代码可以在其中运行。使用时间：Nand Flash是Nor Flash的十倍，Nand Flash是100万次擦写，Nor是10万次。数据可靠性：Flash器件内部都是按照位操作，所以容易造成位交换，Nand Flash发生的次数比Nor要多，因此Nand Flash通过ECC算法来保证数据的可靠性.
tf卡什么牌子好？求推荐。tf卡选择金士顿的比较好，储存卡很信赖这个品牌的产品，而且价格超级划算。作为金士顿目前最高端的64GB TF卡，64GB UHS-I U3 Class 10 TF卡确实拥有着优秀的传输速度。当然，它的价格暂时是不便宜的。一分钱一分货，想要获得优秀的性能体验，你就得比别人花更多的钱，这是无可厚非的事情。这款闪存卡拥有顶级的读写速度，非常适合用在手机、数码相机和摄像机上拍摄高清照片和视频，可靠耐用，以便完美地捕捉高山滑雪、冲浪、攀岩等极限运动的精采瞬间。在ATTO Disk Benchmark测试中，金士顿U3 UHS-1 TF卡读取速度达到93.5MB/s，最大写入速度达到64.3MB/s，超快速度绝对可以轻松应对日常照片拍摄与视频录制，并且速度相当稳定。闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）。这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。