flash存储器 _生活经验

什么是FLASH存储器？？什么是Flash Memory存储器介绍关于闪速存储器有关知识近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory) 。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于Flash Memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS ，会使得BIOS 升级非常方便。Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡，一种称为Flash存储器卡，此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡，此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容，可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。

flash是什么存储器如果是指的存储器的话，应该指的那些有存储能力的元件中的存储单元，就像是仓库，flash就是仓库中一个存储间的存储地货架。

FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有啥区别各有什么作用用在那Flash存储器又称为闪存，是一种非易失性的ROM存储器，在EEPROM的基础上发展而来，但不同于EEPROM只能全盘擦写，闪存可以对某个特定的区块进行擦写，这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快，但远不及RAM存储器；但它断电后不会像内存一样丢失数据，因此适合做外存储设备。用途：U盘、固态硬盘、BIOS芯片等。

DDR是一种技术，中文为双倍速率，并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器，全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义，它有三个重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic 。首先是Dynamic（动态），表明存储元为电容，通过电容的电荷性判断数据0和1 。而由于电容有漏电流，必须随时对电容进行充电，以防数据丢失，这个过程就叫动态刷新；其次是Synchronous（同步），表明读写过程由时钟信号控制，只能发生在时钟信号的上沿或下沿，是同步进行的，而不可以在随意时刻进行；最后是Double Date Rate（DDR），这是DDR内存最重要的特性，即相比SDRAM内存， DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射，因此一个周期内可以传输两次数据，所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途：内存条和显存颗粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5 。

RAM是Random Access Memory的缩写，中文为随机存储器。这个定义非常广，凡是可以进行随机读写的存储器，都可以称为RAM ，和ROM（只读存储器）相对。用途：内存、显存、单片机、高速缓存等等

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM 。相比动态RAM，优点：1.不需要刷新操作，省去刷新电路，布线简单；2.速度远高于DRAM 。缺点：1.容量远小于DRAM；2.由于晶体管规模远大于DRAM，成本远高于DRAM 。用途：寄存器、高速缓存、早期内存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写，动态存储器。和上面的定义一样，由电容存储数据，需要实时刷新，因此叫动态RAM 。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射，但通常我们不严格区分它们，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM 。DDR SDRAM也属于一种DRAM 。用途：内存、显存

FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别？各有什么作用？Flash存储器：它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。DDR存储器：DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR ，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。RAM存储器：存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM ， DRAM) 。SRAM存储器：是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM 。DRAM存储器：DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据， DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。(关机就会丢失数据)
什么是FLASHROM程序存储器？FLASHROM也称闪存，是一种比EEpROM性能更好的电可擦写只读存储器。目前，部分液晶彩电在微控制器的外部除设有一片EEpROM外，还设有一片FLASHROM 。对于此类构成方案，数据（用户数据、质量控制数据等）存储在微控制器外部的EEpROM中，辅助程序和屏显图案等存储在微控制器外部的FLASHROM中，主程序存储在微控制器内部的ROM中。
什么是Flash Memory

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快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM 。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM 。扩展资料应用前景“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照，其实早在U盘之前，闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储，电池没电了数据就会丢失。采用闪存的产品，克服了这一毛?。?使得数据存储更为可靠。除了闪存盘，闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。
STC单片机的FLASH程序存储器、SRAM字节、EEPROM有什么区别与联系？

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FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0 。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1 。STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。扩展资料：特点：EEPROM可单字节操作更灵活，FLASH存储量更大些FLASH：只能块擦除（叫块擦除更准确吧，原文是BLOCK），举例说明：比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入。意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。
flash存储器TF卡（全称TransFlash）是由世界著名存储设备商SanDisk开发的一种全球最小闪存卡，尺寸15 x 11 x 1mm，约为SD卡的1/4 ，和一片指甲差不多大小。在当然按照SanDisk公司的一惯作风，只要和适配器结合使用，就可以使用在标准SD卡设备上。

得益于其较小的身材，支持TF的设备（比如手机）可以体积上做的和常规差不多大小。而手机界的巨头之一摩托罗拉是此种设备使用最为广泛的企业，在诸如C975、E398、A840、V710、E1000、A1000、V1000等多款手机中都可以使用TF卡。

FLASH存储器是什么？什么是flash
memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识
近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(flash
memory) 。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，flash
memory属于eeprom(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有rom的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，
功耗很小。目前其集成度已达4mb，同时价格也有所下降。
由于flash
memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用flash
rom
bios，会使得bios
升级非常方便。
flash
memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于flash
memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。
目前研制的flash
memory都符合pcmcia标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的pcmcia卡，一种称为flash存储器卡，此卡中只有flash
memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为flash驱动卡，此卡中除flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与ide标准兼容，可在dos下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为flash固态盘。
flash
memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把bios系统驻留在flash存储器中。

Flash存储器与flash有联系么存储区不是T-flash吗，那个应该是闪存的意思吧，而flash应该是动画吧，个人看法哈

flash 存储器能工作在125度吗?除非是特殊需求，长期高温，特别是这么高温工作会很快衰退

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么？

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1、ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。2、RAM分为两大类：SRAM和DRAM 。SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。扩展资料：存储器的概念很广，在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。参考资料：存储器百度百科

什么是ROM ， RAM，DRAM，SRAM和FLASH的区别ROMRAM说的都是手机存储。ROM是固态的，可以是手机存储空间，RAM是动态的，是运行内存。另外，ROM还可以是刷机包，这是软件的东西。DRAM，sram ， flash这三个都可以叫存储器。其中DRAM是动态随机存储器，掉电不保存数据。SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

sram ， falsh memory ，及dram的区别？什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM）， SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）， DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM 。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM ，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM 。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM，RAM，DRAM，SRAM和FLASH的区别这些都属于存储类型，rom属于只读存储器顾名思义，它的存储内容是预先输入封装的，用户是无法改写，只能读取的，它的特点是断电后数据不会丢失。ram是随机存储器，存取速度快，特点是断电后数据消失，电脑里的内存条就属于ram 。dram和sram都属于ram，只不过存储结构和方式不同，dram速度慢，密度大，容量大，耗电大，一般用于电脑的内存条颗粒，sram速度快，密度小，容量小，一般用于电脑cpu的缓存，通常只有几十KB 。FLASH就是闪存，市面上的各种内存卡通通属于闪存，它断电后数据不会丢失，不过寿命并不长

u盘属于什么存储器

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易失性存储器。USB全称叫做USB闪存盘（USB flash disk），属于数字存储方式，而非机械模拟的存储方式。在2000年左右，USB出现，由于技术限制，第一代U盘并不像现在这么便捷，而是在任何操作系统下都需要安装驱动。尽管如此，当时的U盘价格却也是现在无法想象的：16M大小的U盘价格约为1000元。而现在16GB的U盘只需要40元左右，原来的U盘价格相当于现在的25640倍。扩展资料ROM（Read Only Memory）存储器属于最早期的存储方式，它于现在常见的存储器最大的不同是，当时的ROM存储还是一种只读存储器，并不能实现写入数据。而ROM的应用场景也因为其只读不写的特性成为电子计算机中输入输出系统（BIOS）的重要存储介质。早期简单的ROM BIOS程序可以写在128Kb的芯片中，后来， PentiumⅡ主板的ROM BIOS程序写在闪速内存里，大约有2Mb大小。而EPROM (Erasable Programmable ROM)的出现，因其可擦除的PROM因为芯片可以多次复用，现在代替ROM在微型计算机中应用比较广泛。参考资料来源：百度百科-U盘芯片
U盘就是flash存储器吗【flash存储器】U盘的存储介质是闪存，电存储

U盘内的存储介质是FLASH还是磁道U盘内的存储介质是一种称之为flash芯片的电子器件，类似于EPROM和EEPROM，相对于EPEOM和EEPROM来说，flash更易于擦写。
对于硬盘和光盘以及软盘来说才有磁道的说法，因为它们是利用物理介质来记录数据的。

MP3存储器:硬盘和FLASH闪存有什么差别?存储介质不同，工作原理也不一样。

硬盘：
无论是IDE还是SCSI,采用的都是"温彻思特“技术,都有以下特点：
1.磁头，盘片及运动机构密封。
2.固定并高速旋转的镀磁盘片表面平整光滑。
3.磁头沿盘片径向移动。
4.磁头对盘片接触式启停，但工作时呈飞行状态不与盘片直接接触。

所以硬盘是磁性媒介，就像录音带，只容许一种极性存在，只要磁头有电流生成，是会去改变其原值。由于是磁头悬浮的，所以比较怕震动。

闪存（Flash ROM）：
是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。

FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。

USB Flash drive, USB Flash disk, U盘，闪存有什么区别？请详细解释，谢谢USB Flash drive是优盘等USB设备的驱动程序，USB Flash disk是所有外接USB存储设备的英文全称，U盘是外接存储设备的一种，还有其他的存储设备，例如移动硬盘、大容量存储设备等。闪存就是外接存储设备的容量大?。?就是人们长说的1个G的优盘，其实这1个G就是这个优盘的闪存.O(∩_∩)O~(U盘=优盘)

主存储器的分类中RAM为何叫做随机存储器，动态和静态的（DRAM和SRAM）又是按什么原理分的？DRAM ，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据
不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在， SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz 。

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1 。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET 。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM 。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆， SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆， PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM 。

从晶体管的类型分， SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分， SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式

。

SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用

的。

SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。

主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不

包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量

较SRAM大，但是读写速度不如SRAM 。

一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时

的刷新来保持。
内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“

内存”是指DRAM 。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保

持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相

同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU

内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM 。

AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。

Program Size: data=https://www.zaoxu.com/jjsh/bkdq/84.0 xdata=1751 code=16158和STC单片机里的Flash、SRAM、EEPROM是怎么对应的？1 data=84.0,就是变量占内存的空间为84字节程序执行时，动态变量要占用空间，RAM断电数据消失
2 xdata=https://www.zaoxu.com/jjsh/bkdq/1751,占用扩充RAm1751字节空间，当变量或数组量比较多计算时，原始内部RAM无法完成，就会启动扩展RAM，stc内部有扩展ram,只要在Keil设置了存储模式为xdata就可以用了，不然变量占用空间大于内部空间而没启动扩充RAm就会报错.
3 code=16158，就是写在单片机flash中（E^2rom,程序存储器)为16158字节，也就是程序固化到程序存储器中的字节数。
4 stc 中flash 中有的有伪E^2PROM的部分，实际不是真正数据存储器（EEPROM），但可以完成数据存储器功能，就是整个扇区去操作，比较麻烦，不像真正的EEPROM可以随意地址读写。

有的单片机同时具有flash，EEPROM，SRAM，只有其中一个不行吗？不是也能存储数据吗flash:属于Non-Volatile内存
EEPROM：属于外存
SRAM：就是RAM
Flash和EEPROM可以存储用户程序和数据
RAM是程序运行的时候，动态加载程序和数据。
每个存储器的作用是不同的，建议你看一下微机原理。

单片机 77e58直接位寻址的ram有多少B?其中 SRAM和EEProm这两个什么区别联系？？？一定采纳请见77E58的架构配置示意图，图上已经做出标注。问题二：SRAM和EEP其实很好解释。SRAM：SRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。在此说到SRAM，就必须要提到SDRAM 。简称SDR，即为随机动态存储器。这两者间的关系：简单点说， SRAM是固化在主电路PCB板上的硬件层I/O接口驱动作用，用来提供软件层驱动程序与其I/O接口驱动的配套使用，从而控制硬件设备。特点：固化芯片上的数据不可以进行编程修改，断电后不丢失。一次性写入芯片。SDRAM：它就是人们通常说的内存。特点：可扩容式叠加。需要不断充电刷新电压进行更新读写其中的数据。断电后数据即丢失。术语：随机译指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。最后说到EEPROM 。它通俗来讲，就是主板上的BIOS芯片。作用是为控制系统提供最底层的、最直接的硬件设置和控制。特点：可进行通常编辑更新刷写其中的程序。断电后数据即不会丢失，可支持PNP(即插即用热拨插)技术。
程序存储器，SRAM，定时器， UART串口，DPTR ， EEPROM，看门狗， A/O，I/O 。谁能给FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0 。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1 。STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。

选择文件系统时，需考虑 flash 存储器的哪些物理特性和使用特点FLASH闪存闪存的英文名称是"Flash Memory" ，一般简称为"Flash" ，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存。
闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

适用于RAM、NOR FLASH和NAND FLASH的文件系统有那些适用于RAM、NOR FLASH和NAND FLASH的文件系统有那些?1、适用于RAM的一般是虚拟文件系统，Linux引入了虚拟文件系统VFS(Virtual File System)，为各类文件系统提供统一的操作界面和应用编程接口，/proc/下就是这样的文件系统，掉电会丢失；
2、NOR FLASH：JFFS主要用于NOR型闪存，基于MTD驱动层，JFFS是可读写的、支持数据压缩的、基于哈希表的日志型文件系统，并提供了崩溃/掉电安全保护，提供“写平衡”支持等功能，但是缺点：当文件系统已满或接近满时，因为垃圾收集的关系而使jffs2的运行速度大大放慢，不适合NAND FLASH上使用；
3、NAND FLASH： yaffs/yaffs2是专为嵌入式系统使用NAND型闪存而设计的一种日志型文件系统。与jffs2相比，它减少了一些功能(例如不支持数据压缩)，所以速度更快，挂载时间很短，对内存的占用较小。yaffs是跨平台的文件系统，除了Linux和eCos ，还支持WinCE, pSOS和ThreadX等；yaffs与yaffs2的主要区别在于：前者仅支持小页(512 Bytes) NAND闪存，后者则可支持大页(2KB) NAND闪存。与JFFS相比，yaffs2在内存空间占用、垃圾回收速度、读/写速度等方面均有大幅提升。

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Flash存储器的简要介绍闪存是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0 。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5ms,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms 。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。● NOR的读速度比NAND稍快一些。● NAND的写入速度比NOR快很多。● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5ms快。● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8MB～128GB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
Flash与SRAM的区别？

文章插图

区别如下：1.性质不同Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准，由Adobe公司收购。SRAM是随机存取存储器的一种。2.中文名不同Flash中文名是固态存储器与动画编辑器，SRAM中文名是静态随机存取存储器。3.用途不同Flash是一种动画创作与应用程序开发于一身的创作软件，Adobe Flash Professional CC为创建数字动画、交互式Web站点、桌面应用程序以及手机应用程序开发提供了功能全面的创作和编辑环境。SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache) 。它利用晶体管来存储数据。参考资料来源：百度百科--Flash参考资料来源：百度百科--SRAM
ROM，RAM ， DRAM，SRAM和FLASH的区别1、ROM（只读内存(Read-Only
Memory)简称），是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。例如主板中的BIOS.
2、RAM随机存取存储器（英文：random
access
memory，RAM）,它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。主要是计算机中的内存。
3、DRAM（Dynamic
Random
Access
Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存之一，是RAM的一种。
4、SRAM（静态随机存储器），是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
5、flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据，即平时所说的“闪存” 。结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。
总结：ROM一般是只读的，一次性写入固化，不能再次写入。RAM是可以随时读出写入的，包括了DRAM和SRAM 。flash是取ROM和RAM两者优点的存储介质，但是价格偏贵。

stm32 中Flash和sram的区别SRAM：静态随机存储器 FSMC 全称“静态存储器控制器”。使用 FSMC 控制器后，我们可以把 FSMC 提供的 FSMC_A[25:0]作为地址线，而把 FSMC 提供的 FSMC_D[15:0]作为数据总线。SRAM：静态随机存储器 FSMC 全称“静态存储器控制器”。使用 FSMC 控制器后，我们可以把 FSMC 提供的 FSMC_A[25:0]作为地址线，而把 FSMC 提供的 FSMC_D[15:0]作为数据总线。