华为手机芯片制程 华为手机芯片制程时间(17)

层硫酸铜 , 将铜离zi沉淀到晶shàng 。铜离zicóng正极(阳极)走向负极(阴极) 。diàn镀完chénghòu , 铜离zi沉积zài晶圆biǎo面 , 形chéngbáobáode铜层 。
zhōngduōde铜需要先抛光掉 , 磨光晶圆biǎo面 。然hòujiùkāi始搭建金属层le 。晶管级别 , 六de合 , wèi500nm 。zài同晶管之间形chéng复合互lián金属层 , 具布局取juéxiāngchùdegōngnéng设计 。
晶圆
xīnpiànbiǎo面看起lái异常平滑 , dànshíshànghòu看到极其复杂dediàn路网络 , 打比方 , jiù像复杂