手机处理器制作流程 手机处理器工艺制程( 三 )

de硅氧化物层shàng面涂敷种光阻(Photoresist)物质 , 紫外线tōng过印制着CPU复杂电路结构图样de模板照射硅基片 , 被紫外线照射de地方光阻物质溶解 。而为了避免让不需yào被曝光de区域也受到光de干扰 , 必须制作遮罩来遮蔽这些区域 。这是相当复杂de过程 , 每遮罩de复杂程度用10GB数来描述 。
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这是CPU生产过程zhōngyào操作 , 也是CPUgōngzhōngde重头技shù 。蚀shù把对光de应用推向了极限 。蚀使用de是波长很短de紫外光并配合很大de镜头 。短波长de光将透过这些石英遮罩de孔照在光敏抗蚀膜shàng , 使之曝光 。接下来停止光照并移除遮罩 , 使用特定de化学溶液清洗掉被曝光de光敏抗蚀膜 , 以及在下面紧贴着抗蚀膜de层硅 。
然后 , 曝光de硅将被原子轰击 , 使暴露de硅基片局部掺杂 , 从而gǎi变这些区域de导电状态 , 以制造出N井或P井 , 结合shàng面制造de基片 , CPUde门电路就完chéng了 。
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为加gōngde层电路 , 再次生长硅氧化物 , 然后沉积duō晶硅 , 涂敷光阻物质 , 重复影印、蚀